[发明专利]一种薄膜电感、电源转换电路和芯片

摘要

本申请提供了一种薄膜电感，该薄膜电感包括多层磁性薄膜，该多层磁性薄膜至少包括相邻的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜内，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率小于所述第二磁性薄膜的相对磁导率，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率和所述第二磁性薄膜的相对磁导率之间的差值大于或等于第一阈值，其中，在所述第二磁性薄膜的磁感应强度达到所述第二磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述第一磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述第一磁性薄膜的饱和磁感应强度。采用本申请能够避免该第一磁性薄膜由于易于达到磁饱和而导致的该薄膜电感的电感量急剧下降的问题。另外，本申请还提供了相应的电源转换电路和芯片。

主权项

1.一种薄膜电感，其特征在于，所述薄膜电感包括薄膜磁芯和至少一个导电体，所述薄膜磁芯呈两端开口的筒状结构，所述薄膜磁芯包括多层磁性薄膜，每层磁性薄膜均呈两端开口的筒状结构，所述多层磁性薄膜层层嵌套，每相邻两层磁性薄膜之间间隔有绝缘层，所述至少一个导电体位于所述多层磁性薄膜中最内层薄膜磁性的内腔中；每相邻两层磁性薄膜包括内层磁性薄膜和外层磁性薄膜，所述内层磁性薄膜嵌套在所述外层磁性薄膜内，所述内层磁性薄膜的相对磁导率小于或等于所述外层磁性薄膜的相对磁导率，所述多层磁性薄膜至少包括相邻的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜内，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率小于所述第二磁性薄膜的相对磁导率，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率和所述第二磁性薄膜的相对磁导率之间的差值大于或等于第一阈值，所述第一磁性薄膜所采用的材料和所述第二磁性薄膜所采用的材料相同，且所述第一磁性薄膜的厚度大于所述第二磁性薄膜的厚度；其中，在所述第二磁性薄膜的磁感应强度达到所述第二磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述第一磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述第一磁性薄膜的饱和磁感应强度。