[发明专利]一种LED晶元切割方法在审
| 申请号： | 201710386516.8 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106952986A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈永平 | 申请（专利权）人： | 厦门市东太耀光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司44218 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区（翔*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED晶元切割方法，属于LED领域，具体包括以下步骤S1，选定待切割晶元；S2，在待切割晶元上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；S3，在待切割晶元的矩形区按照横向和竖向切割形成面积相对较大的第一芯片区；S4，在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区。与现有技术相比，该LED晶元切割方法采用在同一LED晶元的矩形区切割形成面积相对较大的第一芯片区，在非矩形区切割形成面积相对较小的第二芯片区，这样可在同一LED晶元上同时切割两种不同大小的芯片区，提高LED芯片利用率，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种LED晶元切割方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，选定待切割晶元；S2，在待切割晶元上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；S3，在待切割晶元的矩形区按照横向和竖向切割形成面积相对较大的第一芯片区；S4，在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区。
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