[发明专利]垂直型薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710386619.4 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107221501B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 曲连杰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直型薄膜晶体管的制备方法。垂直型薄膜晶体管包括：第一电极、间隔层、有源层、栅绝缘层、第二电极和栅电极，栅电极且与第二电极同层。制备方法包括：在基底上依次形成第一电极、隔离层、有源层和栅绝缘层；在栅绝缘层上同时形成第二电极和栅电极，第二电极通过栅绝缘层过孔与有源层连接。本发明栅电极和第二电极通过一次构图工艺形成，减少了工艺流程，提高了生产效率，降低了成本。栅电极和第二电极同层设置，对位精度高，提升了良品率。进一步地，垂直型薄膜晶体管有效减小了薄膜晶体管的尺寸，提高了开口率，实现了高分辨率显示。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成第一电极、隔离层、有源层和栅绝缘层；在栅绝缘层上同时形成第二电极和栅电极，第二电极通过栅绝缘层过孔与有源层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
