[发明专利]非易失性存储器的电荷泵电路有效
申请号: | 201710388216.3 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107171548B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 李祖渠 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G11C5/14 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种非易失性存储器的电荷泵电路,电荷泵电路同时包括正负压电荷泵;负压电荷泵中包括一个负压建立完成信号产生电路,启动过程中,当第三负电压达到目标值时,负压建立完成信号产生电路输出的负压建立完成信号有效;正压电荷泵中包括第二正电压建立控制电路,启动时,第一正电压开始启动并启动到目标值,第二正电压建立控制电路输入所述负压建立完成信号,在负压建立完成信号有效之前,第二正电压保持为0V;在负压建立完成信号有效后,第二正电压开始启动并启动到目标值。本发明通过将第二正电压的启动时序放置在第三负电压建立完成之后,能减少第三负电压在启动阶段的负载。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 电荷 电路 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器的电荷泵电路,其特征在于:电荷泵电路同时包括正压电荷泵和负压电荷泵;所述正压电荷泵提供第一正电压和第二正电压,所述负压电荷泵提供第三负电压;所述第一正电压大于所述第二正电压;所述第一正电压、所述第二正电压和所述第三负电压都提供给非易失性存储器的存储阵列;所述存储阵列的存储单元的存储管的写1的编程电压由所述第一正电压和所述第三负电压的差确定,所述第一正电压加于对应的所述存储管的栅极,所述第三负电压加于对应的所述存储管的位线;所述存储管的写0的编程电压由所述第一正电压和所述第二正电压的差确定,所述第一正电压加于对应的所述存储管的栅极,所述第二正电压加于对应的所述存储管的位线;所述负压电荷泵中包括一个负压建立完成信号产生电路,在所述非易失性存储器的启动时,所述第三负电压开始启动,当所述第三负电压达到目标值时,所述负压建立完成信号产生电路输出的负压建立完成信号有效;所述正压电荷泵中包括第二正电压建立控制电路,在所述非易失性存储器的启动时,所述第一正电压开始启动并启动到目标值,所述第二正电压建立控制电路输入所述负压建立完成信号,在所述负压建立完成信号有效之前,所述第二正电压保持为0V;在所述负压建立完成信号有效后,所述第二正电压开始启动并启动到目标值,通过将所述第二正电压的启动时序放置在所述第三负电压建立完成之后来减少所述第三负电压在启动阶段的负载。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710388216.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:化学方法
- 下一篇:一种盐酸缬更昔洛韦的合成方法