[发明专利]半导体存储设备及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201710388291.X 申请日: 2017-05-27
公开(公告)号: CN107450890A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 柳济民;吴凜;柳鹤洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30;G06F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 张泓
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种包括存储单元阵列和配置为执行内部处理操作的内部处理器的半导体存储设备的操作方法,包括在存储设备处接收指示存储设备应当以处理器模式还是正常模式操作的第一模式指示符;在所述存储设备处接收用于所述存储设备的处理信息;当所述第一模式指示符指示所述存储设备应当以所述处理器模式操作时,将所述处理信息存储在所述存储单元阵列的第一存储单元区段中,由内部处理器执行所存储的处理信息执行内部处理;以及将内部处理的结果存储在存储单元阵列中。
搜索关键词: 半导体 存储 设备 及其 操作方法
【主权项】:
一种用于包括存储单元阵列和内部处理器的存储设备的方法,所述方法包括:在存储设备处接收指示存储设备应当以处理器模式还是正常模式操作的第一模式指示符;在所述存储设备处接收用于所述存储设备的处理信息;当第一模式指示符指示存储设备应当以处理器模式操作时,将处理信息存储在存储单元阵列的第一存储单元区段中;由内部处理器使用所存储的处理信息来执行内部处理;以及将内部处理的结果存储在存储单元阵列中。
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