[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710388642.7 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170860B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 武艳萍 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，外延片还包括应力释放层，应力释放层为氮化镓层，应力释放层层叠在成核层中，或者应力释放层层叠在成核层和未掺杂氮化镓层之间，或者应力释放层层叠在未掺杂氮化镓层中，或者应力释放层叠在未掺杂氮化镓层和N型氮化镓层之间。本发明通过在成核层和未掺杂氮化镓层之间插入应力释放层，可以对衬底和氮化镓材料之间晶格失配产生的应力进行释放，避免应力影响外延片的翘曲度，衬底的表面平整，多量子阱层受热均匀，外延片发光波长的均匀性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述外延片还包括应力释放层，所述应力释放层为氮化镓层，所述应力释放层层叠在所述成核层中，或者所述应力释放层层叠在所述成核层和所述未掺杂氮化镓层之间，或者所述应力释放层层叠在所述未掺杂氮化镓层中，或者所述应力释放层叠在所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层之间。
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