[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710389531.8 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN108963072A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王超鸿;蒋光浩;李峰旻;林昱佑;李岱萤 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。第一氧化物材料和第二氧化物材料中的至少一者为顶电极材料的一氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 存储元件 氧化物材料 顶电极 半导体结构 顶电极材料 底电极 一氧化物 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一底电极；一第一存储元件，设置在该底电极上，该第一存储元件包括一第一氧化物材料；一第二存储元件，设置在该第一存储元件上，该第二存储元件包括不同于该第一氧化物材料的一第二氧化物材料；以及一顶电极，设置在该第二存储元件上，该顶电极包括一顶电极材料，其中该第一氧化物材料和该第二氧化物材料中的至少一者为该顶电极材料的一氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710389531.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
