[发明专利]一种新型FET管及由新型FET管组成的分布式放大器有效
| 申请号： | 201710390533.9 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107171649B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李启良;范国清;尹桂晖;刘金现;朱伟峰;姜万顺 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H03F3/60 | 分类号： | H03F3/60;H03F1/02;H03F1/18;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 陈永宁 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及单片微波集成电路技术领域，具体涉及一种新型FET管及分布式放大器，新型FET管包括U形设计的第一管体和设置在所述第一管体U形开口中间的第二管体，所述第二管体的左右两侧分别与所述第一管体的U形的两支臂连接，第二管体的上下两端分别设置有漏极接口和栅极接口，所述第一管体的底部下端设置有源极接口，本发明的分布式放大器将原有分布式放大器的第二级FET管由常规FET管替换为本发明的新型FET管，消除了传统方式存在的射频信号时间差问题，不会引起信号的额外衰减，保证了放大器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 fet 组成 分布式 放大器 | ||
【主权项】：
一种新型FET管，其特征在于：包括U形设计的第一管体和设置在所述第一管体U形开口中间的第二管体，所述第二管体的左右两侧分别与所述第一管体的U形的两支臂连接，第二管体的上下两端分别设置有漏极接口和栅极接口，所述第一管体的底部下端设置有源极接口。
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