[发明专利]被增强免受前侧攻击的集成电路芯片在审
| 申请号： | 201710391255.9 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107919329A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | S·珀蒂迪迪埃;M·利萨特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,崔卿虎 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了被增强免受前侧攻击的集成电路芯片。一种集成电路芯片，该集成电路芯片包括互连堆叠，该互连堆叠具有形成于其中的空腔，该空腔至少填充有一种第一材料，该第一材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性与形成该互连堆叠的材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性相差超过10％。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 免受 攻击 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片，所述集成电路芯片包括互连层级堆叠，每个互连层级由具有至少一个金属喷镀(2)形成于其中的绝缘体层(6)形成，所述堆叠中形成有空腔(12)，所述空腔至少填充有第一材料(14)，所述第一材料的抛光和/或蚀刻速度与形成所述绝缘体层(6)的材料的抛光和/或蚀刻速度相差至少10％。
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