[发明专利]一种电平转换电路在审
| 申请号： | 201710394928.6 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107196640A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电平转换电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括反相器INV1、四个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管。本发明的电平转换电路中，通过增加两个PMOS晶体管，解决了传统的电平转换电路存在NMOS晶体管和PMOS晶体管同时导通导致电平转换不正确的问题，大大提高了电平转换电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种电平转换电路，其特征在于，包括：反相器INV1、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2；反相器INV1的输入端接电平转换电路的输入端Uin，输出接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的栅极；第一NMOS晶体管N1的源极接地，漏极接第一PMOS晶体管P1的漏极和第四PMOS晶体管P4的栅极；第一PMOS晶体管P1的源极接第三PMOS晶体管P3的漏极；第三PMOS晶体管P3的源级接电源，栅极接输出端Uout；第二NMOS晶体管N2的栅极接电平转换电路的输入Uin，源极接地，漏极接输出Uout；第二PMOS晶体管P2的栅极接电平转换电路的输入端Uin，漏极接输出Uout，源极接第四PMOS晶体管P4的漏极；第四PMOS晶体管P4的源级接电源。
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