[发明专利]用于MAGFET传感器的自旋电流方法

摘要

本发明涉及用于MAGFET传感器的自旋电流方法。此外，在本文描述了一种磁场敏感MOSFET（MagFET）。根据一个实施例，所述MagFET包括：半导体主体；第一阱区，所述第一阱区被布置在所述半导体主体中且以第一掺杂类型的掺杂剂掺杂；以及数目为N个的接触区，其被布置在所述第一阱区中且以第二掺杂类型的掺杂剂掺杂，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型互补，其中N等于或大于3。栅电极覆盖所述接触区之间的所述第一阱区。所述栅电极通过隔离层与所述第一阱区分离，且被配置成，取决于在所述栅电极处施加的电压，控制所述接触区之间的所述第一阱区中的电荷载流子密度。所述第一阱区具有对称中心，并且所述接触区以N阶旋转对称性相对于所述对称中心旋转对称地布置。

主权项

一种用于操作磁场敏感MOSFET（MagFET）的方法，所述磁场敏感MOSFET（MagFET）具有可操作地耦合到偏置电路的栅极端子、衬底端子以及至少三个负载端子；所述方法包括：在第一配置中以及至少在第二配置中交替地连接所述偏置电路和所述MagFET，以在第一操作模式和相应地至少第二操作模式中操作所述MagFET；在所述第一操作模式和所述第二操作模式中，在所述MagFET处对输出电压进行分接；在所述第一操作模式和所述第二操作模式中，将在所述MagFET处进行分接的所述输出电压进行组合；以及遍及操作模式的改变，将以下电压中的至少一个维持恒定：在所述栅极端子与所述衬底端子之间的栅‑衬电压；以及在充当漏极端子的负载端子与所述栅极端子之间的漏‑栅电压。