[发明专利]一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法有效

专利信息
申请号: 201710398203.4 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107068820B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 郑军;邢建国;闫宝华;汤福国;刘琦;徐现刚 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法,包括如下步骤:a)利用锯片在LED芯片表面进行半切;b)对半切后的LED芯片进行烘烤;c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜;d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤;e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切;f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。借助加热器对芯片贴膜前进行烘烤,有效释放芯片自身应力,降低芯片自身的形变张力。同时通过对贴膜后的芯片连带蓝膜一起进行烘烤,提高了蓝膜的延展性,使膜彻底舒张开,提高蓝膜的粘性。有效改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法,作业简单且实效性高,有效解决掉管芯的问题,提高产品产出率。
搜索关键词: 一种 改善 gaas led 芯片 切割 过程 管芯 方法
【主权项】:
1.一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法,其特征在于,包括如下步骤:a)利用锯片在LED芯片表面进行半切,形成纵横交错的切割槽,将LED芯片P面电极等间距分隔;b)对半切后的LED芯片进行烘烤;c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜;d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤;e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切,形成N个独立的管芯;f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。
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