[发明专利]高耐久性极紫外光掩模有效
| 申请号： | 201710398746.6 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452602B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 余家豪;吕启纶;石志聪;沈经纬;陈政宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种反射掩模的实施例，该反射掩模包括衬底；设置在衬底上的反射多层；设置在反射多层上的抗氧化阻挡层并且抗氧化阻挡层是具有小于氧直径的平均原子间距离的非晶结构；和设置在抗氧化阻挡层上并根据集成电路布局图案化的吸收层。本发明实施例涉及高耐久性极紫外光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 耐久性 紫外光 | ||
【主权项】：
一种反射掩模，包括：衬底；反射多层，设置在所述衬底上；抗氧化阻挡层，设置在所述反射多层上并且所述抗氧化阻挡层是具有小于氧(O2)的动力学直径的平均原子间距离的非晶结构；以及吸收层，设置在所述抗氧化阻挡层上，并且根据集成电路布局图案化所述吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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