[发明专利]一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201710399638.0 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107244666B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 于法鹏;张晶;杨志远;孙丽;李妍璐;程秀凤;赵显 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法，该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯，有利于与石墨烯形成异质结，石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长，控制六方氮化硼溶液的浓度，确保石墨烯的成核密度，避免了传统CVD工艺在衬底上生长石墨烯非相关成核点的自重构，显著提高了石墨烯生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 籽晶 生长 大晶畴 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)提供一种衬底；(2)将六方氮化硼溶于溶剂中，搅拌、超声处理使氮化硼颗粒均匀分散，然后静置，得到六方氮化硼溶液；(3)将六方氮化硼溶液涂覆到衬底表面，得到涂覆六方氮化硼的衬底；(4)将涂覆六方氮化硼的衬底置于CVD管式炉中抽真空，升温，之后通入高纯氩气和氢气，逐渐升温至950℃～1200℃进行氢刻蚀；(5)氢刻蚀后通入碳源气体，保温以氮化硼为中心进行生长石墨烯；(6)在惰性气氛下缓慢降温至600～700℃，然后自然降温，在衬底表面得到大尺寸石墨烯晶畴。
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