[发明专利]磷化铟扩散方法

摘要

本发明公开了一种磷化铟扩散方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间；通入二甲基锌流量调节至所需值，控制MOCVD设备的温度进行线性下降，进行锌扩散；温度降至430℃‑470℃以下时切断保护气体，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。所述方法可以精确控制不同扩散深度的扩散浓度，达到圆片表面2e¹⁸高空穴浓度，圆片内部5e¹⁷低空穴浓度，扩散均一性稳定，适用于大批量生产。

主权项

1.一种磷化铟扩散方法，其特征在于包括如下步骤：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，通入保护气体进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间；通入二甲基锌，流量调节至所需值，控制MOCVD设备的温度进行线性下降，进行锌扩散；温度降至430℃‑470℃以下时切断保护气体，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。