[发明专利]单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺

摘要

本发明公开了一种单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，主要包括以下流程：单晶生长→切断→外径滚磨→端面磨削、抛光→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。本发明单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺简单，所需设备要求低，成本低，可提高加工效率。

主权项

1.一种单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，其特征在于：所述的工艺包括以下步骤：切断切除单晶硅棒的头部、尾部，将单晶硅棒切成的长度；外径磨削采用外圆磨床对切断后的单晶硅进行外径滚磨；端面磨削采用数控单晶硅端面磨床对所述单晶硅进行端面磨削；切片将所述磨削后的单晶硅棒切成预设几何尺寸的薄晶片；倒角采用倒角机将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度；研磨采用双面研磨机对倒角后的单晶硅晶片进行研磨；所述研磨采用的原料包括：研磨浆料和滑浮液；腐蚀采用化学腐蚀去除晶片表面受加工应力而形成的损伤层；抛光采用抛光机对腐蚀处理后的所述单晶硅片表面进行抛光；清洗采用RCA湿式化学洗净方法对所述抛光后的单晶硅片进行清洗。