[发明专利]制造薄膜晶体管的方法及其脱氢装置和包括该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备有效
| 申请号： | 201710403653.8 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107464742B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李诚洙 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种制造薄膜晶体管的方法、用于执行该方法的脱氢装置以及包括通过该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备。制造薄膜晶体管的方法包括：在用于执行非晶硅层的脱氢工艺的腔室中将氧含量从第一值降低至第二值，将其上形成有非晶硅层的基板插入到腔室中，加热腔室内部以在非晶硅层上执行脱氢工艺，和使用激光通过结晶化非晶硅层形成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 及其 脱氢 装置 包括 有机 发光 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种制造多晶硅层的方法，所述方法包括：减少腔室中的至少一部分氧以将腔室中的氧含量从第一值改变为100ppm或更低的第二值；将其上形成有非晶硅层的基板插入到腔室中；在腔室中对非晶硅层执行脱氢工艺；和结晶化非晶硅层以形成多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
