[发明专利]一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710403789.9 申请日: 2017-06-01
公开(公告)号: CN107020374B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 刘毅;苏晓磊;徐洁;王俊勃;贺辛亥;屈银虎 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: B22F1/02 分类号: B22F1/02;C23C18/38
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 杨璐
地址: 710048 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法:其步骤为:步骤1、对Ti3SiC2粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理,得到预处理Ti3SiC2粉体;步骤2、利用CuSO4·5H2O、EDTANa2、NaOH及2‑2'‑联吡啶配制出铜镀液;步骤3、利用经步骤2配制出的铜镀液对经步骤1得到的预处理Ti3SiC2粉体进行镀覆处理;步骤4、经步骤3后,对镀覆处理后剩余的物质进行过滤,对滤掉液体后剩余的部分进行烘干处理,得到Ti3SiC2/Cu复合导电粉体。利用本发明的制备方法得到的Ti3SiC2/Cu复合导电粉体具有较低的密度、良好的稳定性以及高导电性。
搜索关键词: 一种 ti3sic2 cu 复合 导电 制备 方法
【主权项】:
1.一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、对Ti3SiC2粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理,得到预处理Ti3SiC2粉体;具体按照以下步骤实施:步骤1.1、取平均粒度为2μm~20μm、纯度大于93%的Ti3SiC2粉体;步骤1.2、将步骤1.1中的Ti3SiC2粉体倒入乙醇水溶液中,并使Ti3SiC2粉体完全浸没于乙醇水溶液,利用乙醇水溶液对Ti3SiC2粉体进行醇洗,醇洗时间为10min~30min;步骤1.3、将经步骤1.2后得到的Ti3SiC2粉体倒入氢氟酸水溶液中,并使Ti3SiC2粉体完全浸没于氢氟酸水溶液,利用氢氟酸水溶液对Ti3SiC2粉体进行粗化处理,粗化处理时间为30min~60min;步骤1.4、按体积比为1~4:1将盐酸和SnCl2水溶液混合,形成敏化处理液,将经步骤1.3后得到的Ti3SiC2粉体倒入敏化处理液中,并使Ti3SiC2粉体完全浸没于敏化处理液,利用敏化处理液对Ti3SiC2粉体进行敏化处理,敏化处理时间为30min~60min;步骤1.5、按质量比为1:1:1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合,形成活化液,将经步骤1.4后得到的Ti3SiC2粉体倒入活化液中,并使Ti3SiC2粉体完全浸没于活化液,利用活化液对Ti3SiC2粉体进行活化处理,活化处理时间为1h~2h;步骤1.6、先用去离子水对经步骤1.5后得到的Ti3SiC2粉体清洗,再依次经离心、过滤处理,之后进行烘干处理,得到预处理Ti3SiC2粉体;步骤2、利用CuSO4·5H2O、EDTANa2、NaOH及2‑2'‑联吡啶配制出铜镀液,具体按照以下方法实施:于常温条件下,按如下顺序及配比将各原料混合,配制出铜镀液:其中,通过添加NaOH将溶液pH调至11~13;步骤3、利用经步骤2配制出的铜镀液对经步骤1得到的预处理Ti3SiC2粉体进行镀覆处理;步骤4、经步骤3后,对镀覆处理后剩余的物质进行过滤,对滤掉液体后剩余的部分进行烘干处理,得到Ti3SiC2/Cu复合导电粉体。
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