[发明专利]平板显示装置及其Top-OLED

摘要

本发明提供一种平板显示装置及其Top‑OLED，该Top‑OLED包括发光单元和设于发光单元光输出面的光输出耦合单元，光输出耦合单元包括自发光单元光输出面依次层叠设置的第一光输出耦合层和第二光输出耦合层，其中第一光输出耦合层的折射率大于第二光输出耦合层折射率。本发明提供的平板显示装置及其Top‑OLED由于在出光面设有折射率渐小的光输出耦合层，提高了OLED器件外量子效率，有利于增加光输出效果。

主权项

1.一种Top‑OLED，其特征在于，所述Top‑OLED包括发光单元和设于所述发光单元光输出面的光输出耦合单元，所述光输出耦合单元包括自所述发光单元光输出面依次层叠设置的第一光输出耦合层和第二光输出耦合层，其中所述第一光输出耦合层的折射率大于所述第二光输出耦合层折射率，所述光输出耦合单元进一步包括层叠设置于所述第二光输出耦合层上的第三光输出耦合层，所述第二光输出耦合层的折射率大于所述第三光输出耦合层折射率，所述发光单元包括依次层叠设置的TFT基板、ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、R/G/B/Y发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极，所述光输出耦合单元设于所述金属阴极上，所述ITO阳极采用Ag，厚度为1000A；所述空穴注入层采用MoO3，厚度为50A；所述空穴传输层采用NPB，厚度为300A；所述R/G/B/Y发光层采用TCTA:(ppy)2Ir(acac)，厚度为150A；所述电子传输层采用TmPyPb，厚度为300a；所述电子注入层采用LiF，厚度为10A；所述金属阴极采用Mg：Ag(1:9)，厚度为200A；所述第一光输出耦合层采用NPB，厚度为200A；所述第二光输出耦合层122采用NPB：LiF(1：1)，厚度为200A；所述第三光输出耦合层采用LiF，厚度为200A。