[发明专利]等离子体处理晶片的方法、等离子体控制方法及反应系统有效
申请号: | 201710407467.1 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN108987227B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 陈嘉任;顾文昱;吴奇颖;林燕飞;陈冠中;陈嘉直 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开实施例提供一种等离子体处理晶片的方法,包括将晶片设置于反应腔体内的支撑件上。于反应腔体内产生等离子体,并通过第一偏压使等离子体中的离子射向晶片。分别在支撑件的周围的第一位置及第二位置上检测等离子体的第一离子浓度及第二离子浓度。比较第一离子浓度及第二离子浓度。当第一离子浓度与第二离子浓度的差异大于临界值,使用多个等离子体位移控制器于反应腔体内产生第二偏压,以改变等离子体中的离子的行进方向。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 晶片 方法 控制 反应 系统 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理晶片的方法,包括:将一晶片设置于一反应腔体内的一支撑件上;于该反应腔体内产生一等离子体,并通过一第一偏压使该等离子体中的离子射向该晶片;分别在该支撑件的周围的一第一位置及一第二位置上检测该等离子体的一第一离子浓度及一第二离子浓度;比较该第一离子浓度及该第二离子浓度;以及当该第一离子浓度与该第二离子浓度的差异大于一临界值,使用多个等离子体位移控制器于该反应腔体内产生一第二偏压,以改变该等离子体中的离子的行进方向。
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