[发明专利]用于对准晶体管的阈值电压的集成电路制造工艺

摘要

本公开涉及用于对准晶体管的阈值电压的集成电路制造工艺。在一些实施方式中，涉及的一种制造集成电路的方法包括：针对包含集成电路的第一版本的第一芯片获取第一数据，确定晶体管应与另一晶体管耦合，选择用于将晶体管与另一晶体管耦合的一个或多个掩模以调整晶体管的阈值电压，针对包含集成电路的第二版本的第二芯片获取第二数据，确定集成电路的第二版本满足一个或多个要求，以及基于集成电路的第二版本准备最终集成电路设计用于生产。

主权项

一种制造集成电路的方法，所述方法包括：针对包含所述集成电路的第一版本的第一芯片获取第一数据，所述集成电路包括阈值电压将被调整的晶体管，所述集成电路包括具有不同阈值电压值的多个其它晶体管，所述集成电路的所述第一版本包括与所述多个其它晶体管中的第一晶体管耦合的所述晶体管；基于i)获取的所述第一数据以及ii)与所述晶体管的所述阈值电压有关的针对所述集成电路的一个或多个要求，确定所述晶体管应与所述多个其它晶体管中的第二晶体管耦合；响应于确定所述晶体管应与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合，选择用于将所述晶体管与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合的一个或多个掩模，以调整所述晶体管的所述阈值电压；针对包含所述集成电路的第二版本的第二芯片获取第二数据，所述集成电路的所述第二版本包括与所述多个其它晶体管中的所述第二晶体管耦合的所述晶体管；基于获取的所述第二数据，确定所述集成电路的所述第二版本满足所述一个或多个要求；以及响应于确定所述集成电路的所述第二版本满足所述一个或多个要求，基于所述集成电路的所述第二版本准备最终集成电路设计用于生产。