[发明专利]对非易失性存储器装置进行编程的方法有效
| 申请号： | 201710412107.0 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN108986861B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 崔允熙;李升妍;朱相炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C8/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对三维存储器单元阵列进行编程的方法，所述三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串在与基底垂直的方向上延伸，每个存储器单元串的上端与多条位线中的一条位线连接，每个存储器单元串的下端与共源极线连接，每个存储器单元串包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个存储器单元通过将编程电压施加到与所述多个存储器单元中的被选择的存储器单元相连接的被选择的字线来编程，所述方法包括：将第一编程电压施加到被选择的字线；当施加第一编程电压时使共源极线电浮置；将第一验证电压施加到被选择的字线以确定被选择的存储器单元是否被编程通过；当施加第一验证电压时将参考电压施加到共源极线。
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