[发明专利]一种带隙可调的BN（Al）薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710413970.8 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107164727A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张侃;徐永宽;于陕升;文懋;谷鑫磊 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司22204 | 代理人： | 石连志 |
| 地址： | 130025 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法，本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控，增加其紫外光的吸收范围，其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材，在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷，同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处，实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得，工艺简单且效率高，可用于波长可调的发光器件，近紫外光吸收材料或光探测器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 bn al 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料，各成分的原子数百分含量比如下：N含量的范围为47.7‑48.8at.％，B含量范围为49.1‑50.0at.％，掺杂Al的含量范围为1.2‑3.2at.％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710413970.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
