[发明专利]一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710414257.5 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107221564A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 江潮;董骥;王嘉玮;刘风景 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用。在所述层状二硫化钼场效应晶体管中，在所述层状二硫化钼表面覆盖F4‑TCNQ分子层。本发明将有机小分子F4‑TCNQ覆盖于二硫化钼上，二硫化钼由硫空位自掺杂的电子将自发注入到F4‑TCNQ中，降低二硫化钼中的电子浓度，达到降低二硫化钼场效应晶体管的开启电压的目的。使用本发明的二硫化钼场效应晶体管可以实现低栅压下NH3传感器的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 二硫化钼 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种层状二硫化钼场效应晶体管，其特征在于，在所述层状二硫化钼表面覆盖F4‑TCNQ分子层。
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