[发明专利]包括通孔的电子器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710415808.X | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107482048A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黑濑英司 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及包括通孔的电子器件及其形成方法。提供了形成电子器件的方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表面上方，其中所述胶带的所述粘合剂与所述第一表面间隔开一定距离；以及在所述衬底的所述第二表面上执行操作。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电子器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电子器件的方法，包括：提供衬底，该衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表面之上，其中所述胶带的粘合剂与所述第一表面间隔开一定距离；以及在所述衬底的第二表面上执行操作。
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