[发明专利]石墨烯电极及其图案化制备方法,阵列基板在审
申请号: | 201710416630.0 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107104078A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 王海军 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,张杰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种石墨烯电极及其图案化制备方法,阵列基板。在石墨烯电极图案化的制备方法中,首先依次在基板上形成氧化石墨烯和光刻胶,其次将紫外光通过掩膜板对光刻胶进行显影,再次利用显影液对曝光后的光刻胶进行显影,然后对相应后暴露出的氧化石墨烯进行还原,最后将剩余的光刻胶进行剥离,即得到图案化的石墨烯电极。石墨烯电极为利用上述石墨烯电极图案化的制备方法制备的石墨烯电极。阵列基板为利用上述方法制得的石墨烯电极作为电极材料制备的。本发明方法的工艺过程简单、图案化制备难度小、成本低,同时还可以避免在制备过程中降低石墨烯电极的质量。 | ||
搜索关键词: | 石墨 电极 及其 图案 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】:
一种石墨烯电极的图案化制备方法,包括:在基板上依次形成氧化石墨烯层和光刻胶层;利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光;对曝光后的光刻胶层进行显影;对裸露的氧化石墨烯层进行还原;对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离,以获得图案化的石墨烯电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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