[发明专利]一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺

摘要

一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺，包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，等径生长，尾部生长步骤。本发明将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理，释放单晶硅原料内部应力，减少长晶时产生的位错，改善结晶质量；熔化时先将温度升至800～900℃，将长晶炉抽成真空，再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力，另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉，保证单晶硅原料的纯度；本发明制得的单晶硅内部缺陷少，结晶质量高，作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率，同时使用寿命长。

主权项

一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)加料：将单晶硅原料经低温加热处理后，用去离子水清洗，然后烘干并与杂质混合放入石英坩埚内；(2)熔化：加完单晶硅原料于石英埚内后，关闭长晶炉并抽成真空后充入高纯氩气进行保压，然后打开石墨加热器电源，加热至800～900℃，将长晶炉抽成真空，再次将氩气充入长晶炉，加热至熔化温度以上，将单晶硅原料熔化，得单晶硅熔体；(3)缩颈生长：当单晶硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入单晶硅熔体中，缩颈生长时将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小；(4)放肩生长：缩颈生长完成后，降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小；(5)等径生长：放肩生长结束，借着拉速与温度的不断调整，使晶棒直径维持在一固定值生长；(6)尾部生长：等径生长结束，将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与单晶硅熔体液面分开，长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出。