[发明专利]一种锂离子印迹膜的合成方法及其用途在审
申请号: | 201710420925.5 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107174962A | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 孙冬舒;孟敏佳;闫永胜;李春香 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | B01D67/00 | 分类号: | B01D67/00;B01D69/12;B01D71/82;B01J20/26;B01J20/28;C02F1/28;C02F1/44;C08J9/26;C08J7/06;C08J7/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种锂离子印迹膜的合成方法及其用途,合成如下将聚偏氟乙烯粉末与聚乙烯吡咯烷酮加入到N,N′‑二甲基乙酰胺中,恒温下机械搅拌后,保持温度不变静置,通过相转化技术形成PVDF基膜,把此PVDF基膜放在去离子水中保存;将PVDF基膜浸入到Tris‑HCl溶液中,再加入多巴胺,室温下机械振荡,得到表面具有聚多巴胺层的PVDF基膜;将12‑冠醚‑4与氯化锂加入到甲醇中,将所述表面具有聚多巴胺层的PVDF基膜浸入到混合溶液中,再加入二甲基丙烯酸乙二醇酯和偶氮二异丁腈,形成混合液,通惰性气体后密封,置于恒温水浴振荡器中反应;将反应后得到的膜用酸洗脱,得到锂离子印迹膜。本方法制备的材料对Li+选择性高,分离效果显著。 | ||
搜索关键词: | 一种 锂离子 印迹 合成 方法 及其 用途 | ||
【主权项】:
一种锂离子印迹膜的合成方法,其特征在于,步骤如下:步骤1、将聚偏氟乙烯粉末与聚乙烯吡咯烷酮加入到N,N′‑二甲基乙酰胺中,恒温下机械搅拌,机械搅拌完成后,保持温度不变静置,通过相转化技术形成PVDF基膜,把此PVDF基膜放在去离子水中保存;步骤2、将步骤1得到的PVDF基膜浸入到Tris‑HCl溶液中,再加入多巴胺,室温下机械振荡,得到表面具有聚多巴胺层的PVDF基膜;将12‑冠醚‑4与氯化锂加入到甲醇中,将所述表面具有聚多巴胺层的PVDF基膜浸入到所述混合溶液中,再加入二甲基丙烯酸乙二醇酯和偶氮二异丁腈,形成混合液,通惰性气体后密封,置于恒温水浴振荡器中反应;步骤3、将步骤2反应后得到的膜用酸洗脱,得到锂离子印迹膜。
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