[发明专利]一种锂离子印迹杂化膜的制备方法及其用途有效
申请号: | 201710420929.3 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107158979B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 崔久云;谢阿田;张宇锋;李春香;闫永胜;周志平 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | B01D71/82 | 分类号: | B01D71/82;B01D69/12;B01D67/00;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/20 |
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地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种锂离子印迹杂化膜的制备方法及其用途,制备如下:步骤1、制备聚偏氟乙烯/氧化石墨烯杂化膜;步骤2、制备聚偏氟乙烯/氧化石墨烯@聚多巴胺杂化膜;步骤3、制备锂离子印迹杂化膜;本发明采用离子印迹技术制备具有特异性识别的印迹杂化膜材料,在其他竞争离子存在下能有效的识别并吸附锂离子。 | ||
搜索关键词: | 一种 锂离子 印迹 杂化膜 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】:
1.一种锂离子印迹杂化膜的制备方法,其特征在于,步骤如下:/n步骤1、将氧化石墨烯与聚偏氟乙烯粉末溶解于N-甲基吡咯烷酮中,机械搅拌混匀、静置,制得聚偏氟乙烯/氧化石墨烯杂化膜,记为PVDF/GO杂化膜,并将膜保存于去离子水或蒸馏水中;/n步骤2、配制Tris-HCl溶液,加入多巴胺并混合均匀,得到混合溶液,取PVDF/GO杂化膜浸没在混合溶液中,室温条件下振荡,反应完后,将产物取出,洗涤,烘干,得到聚偏氟乙烯/氧化石墨烯@聚多巴胺杂化膜,记为PVDF/GO@pDA杂化膜;/n步骤3、将12-冠4、LiCl均匀分散到乙醇中,加入乙烯基三乙氧基硅烷,磁力搅拌均匀后,加入四硅酸乙酯、氨水及去离子水,得到混合液,将步骤2中的PVDF/GO@pDA杂化膜浸入到混合液中,磁力搅拌沉淀聚合后,将膜取出,洗涤,烘干,将制得的膜酸洗,得到锂离子印迹杂化膜;步骤3中,制备混合液时,所使用的12-冠-4-醚、LiCl、乙醇、乙烯基三乙氧基硅烷、四硅酸乙酯、氨水、去离子水的用量比为0.05g:0.05g:30mL:0.2mL:0.5mL:0.3~0.5mL:3~5mL,所述磁力搅拌沉淀聚合的温度为30℃,时间为16h。/n
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