[发明专利]蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710421135.9 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107359127B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/08;H01L29/24;H01L29/812 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，其中，制造方法包括：选取衬底材料；利用CVD工艺在衬底表面淀积Ga |
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| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 fe 掺杂 自旋 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：(a)选取衬底材料；(b)在温度为940℃、射频源功率300W、压强1.5×10‑5Torr下，在所述衬底表面淀积Ga2O3外延层；(c)在所述Ga2O3外延层多次选择性注入Fe离子；其中，注入Fe离子的区域分别形成源区和漏区；未注入Fe离子的区域为Ga2O3沟道区；(d)在所述源区和所述漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；(e)在所述Ga2O3外延层表面淀积SiO2隔离层；(f)在所述SiO2隔离层表面刻蚀出宽度为1μm的栅区；(g)在所述栅区制作肖特基接触栅电极。
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