[发明专利]一种梯形沟槽隔离的低容TVS器件结构

摘要

本发明公开涉及一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器(TVS)结构，该集成型的半导体保护器件包括由衬底材料、外延层、N型掺杂和P型掺杂构成的半导体主体，其不同掺杂浓度构成的瞬态抑制二极管TVS和开关管均为纵向结构，其中TVS面积决定器件的通流能力，开关管决定器件的电容能力。器件有效区域与侧面结的隔离使用沟槽隔离，所涉及的深槽设计为梯形，可以灵活调控TVS和开关管的面积配比，梯形的角度决定了两种不同器件面积差的大小，从而获得大通流能力和低电容的保护器件。

主权项

1.一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：一个具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；一个形成在衬底上的第一导电类型或者第二导电类型的第一外延层；一个形成在第一外延层上的第二导电类型的第二外延层；一个形成在第二外延层上的第二导电类型掺杂区；一个形成在第二导电类型扩散区上的第一导电类型掺杂区；两组穿过第二外延层和第一外延层达到衬底的隔离沟槽，两组隔离沟槽对称设置，每组隔离沟槽中有两条隔离沟槽，隔离沟槽与衬底水平面法线方向的夹角大于0°且小于90°，所述的隔离沟槽中填充有氧化层。第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区形成瞬时电压抑制器Z1，的第二外延层至衬底形成开关管D1。