[发明专利]一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710423117.4 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107215879A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 何林;李强;雷洪波;蔡永军;刘向东;龙亮;甘杰;杨华;晏朝晖 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;C08K3/38;G21F1/10 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 沈强 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法，属于屏蔽材料领域，目的在于解决现有的中子和γ射线综合屏蔽材料，无法从根本上解决屏蔽组元间的密度差异问题，影响材料综合屏蔽性能的提高，尤其是材料的γ射线屏蔽性能较差的问题。该填料由W和B组成，W和B的原子计量比为2︰1，其物相组成为W2B。本发明提供一种新的制备方法，通过对反应条件的控制，使得所制备屏蔽填料的密度均一性好，能够显著提升屏蔽填料的屏蔽性能，具有重要的进步意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子 射线 综合 屏蔽 填料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中子和γ射线综合屏蔽填料，其特征在于，该填料由W和B组成，W和B的原子计量比为2︰1，其物相组成为W2B。
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