[发明专利]线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器有效
| 申请号： | 201710425059.9 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107037852B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张东来;金珊珊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10;G05F1/575;G05F1/66;G01R1/28 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 王雨时 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器，线性压控电流源拓扑结构包括：三端口线性功率复合晶体管，三端口线性功率复合晶体管由多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联构成。本发明采用多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联来替代单管功率MOSFET，且每一个JFET功率管的热耗功率通过选用合适的漏源极电压的钳位稳压管来限定，故单路电流源的热耗功率与级联JFET的个数成线性正比例关系，而相同额定耗散功率条件下的电流源并联路数与级联JFET的个数成线性反比例关系，极大减小电流源的并联支路数，可较大程度的优化太阳阵模拟器的体积和简化电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 电流 拓扑 结构 太阳 模拟器 | ||
【主权项】：
一种应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构，其特征在于，包括：三端口线性功率复合晶体管，所述三端口线性功率复合晶体管由多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学深圳研究生院，未经哈尔滨工业大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710425059.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：遥控器（RGB+CCT)
- 下一篇：话筒
