[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710426030.2 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107492557B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 花田明纮;渊正芳 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于上述绝缘基板的上方；第2半导体层，位于上述绝缘基板的上方，由与上述第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于上述绝缘基板的上方，覆盖上述第1半导体层和上述第2半导体层，并形成有贯通至上述第1半导体层的第1接触孔和贯通至上述第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，将上述第1接触孔内的上述第1半导体层和上述第2接触孔内的上述第2半导体层中的某一方覆盖，并具有导电性；以及第1导电层，与上述阻挡层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
