[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上顺序地形成半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化所述第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在所述第二牺牲图案的相反侧上分别形成间隔物图案，其中所述间隔物图案的间距是恒定的，并且所述间隔物图案的宽度是恒定的；去除所述第二牺牲图案；形成覆盖所述间隔物图案的掩模层；在所述掩模层上形成支持图案，其中所述支持图案的宽度大于所述间隔物图案的宽度，并且所述支持图案与所述间隔物图案的至少一部分交叠；将所述支持图案和所述间隔物图案转移到所述第一牺牲层上以形成牺牲栅极图案和牺牲支持图案；以及将所述牺牲栅极图案和所述牺牲支持图案转移到所述半导体层上以形成栅极和支持栅极。