[发明专利]一种抗刮痕全息存储卡的制备方法有效
申请号: | 201710427497.9 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107353421B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 何永兴 | 申请(专利权)人: | 太仓市智威智能科技有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08G59/58;C08K3/36;C08L63/00;G06K19/077 |
代理公司: | 苏州诚逸知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32313 | 代理人: | 郑丽玲 |
地址: | 215400 江苏省苏州市太仓市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗刮痕全息存储卡的制备方法,包括如下步骤:(1)制备光致聚合物材料;(2)覆盖粘结胶层和第二基片;(3)抽真空处理;(4)成品。本发明一种抗刮痕全息存储卡的制备方法,操作简便,容易实现,其通过光致聚合物和粘结胶层的选择和设计,有效提高了全息存储卡的光学性能和物理性能,其优异的宽温抗刮伤性能有效提高了全息存储卡的应用领域,综合性能优异。 | ||
搜索关键词: | 一种 刮痕 全息 存储 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种抗刮痕全息存储卡的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备光致聚合物材料:a、称取原料:按重量份称取双酚A二缩水甘油醚60~80份、五乙烯六胺20~30份、苯基甲基丙烯酸酯30~35份、引发剂0.1~0.5份、纳米二氧化硅5~10份;b、原料混合:在常温条件下,将步骤(1)中称取的双酚A二缩水甘油醚、五乙烯六胺和纳米二氧化硅加入搅拌反应器中搅拌混合均匀,然后再加入称好的苯基甲基丙烯酸酯和引发剂,接续搅拌混合至均匀;c、超声分散:将步骤(2)中混合均匀的原料置于超声仪中,室温下超声分散15~20min,得到聚合物溶液;d、制备光致聚合物涂膜层:将步骤c中超声分散后的聚合物溶液在第一基片上涂敷成一定厚度,然后将其置于真空干燥箱中,在一定条件下干燥固化,得到所述环氧树脂光致聚合物膜;(2)覆盖粘结胶层和第二基片:在步骤(1)中第一基片上已固化的光致聚合物膜的上面依次水平铺放一层粘结胶层和第二基片,并使所述粘结胶层和第二基片全覆盖所述第一基片;(3)抽真空处理:将步骤(2)中得到的逐层铺设的第一基片、粘结胶层和第二基片放置于带有抽气孔的真空袋内进行抽真空挤压处理;(4)成品:将步骤(3)中抽真空处理后的真空袋放气处理,并将至室温,取出粘结好的卡经裁剪得到所述全息存储卡。
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