[发明专利]一种芯片级封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710428100.8 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107046021A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 何军;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽安努奇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片级封装结构及其制备方法。所述芯片级封装结构的制备方法包括在衬底上形成多个集成电路，集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；在衬底远离集成电路的一侧切割衬底以划分多个集成电路；在衬底远离集成电路的一侧形成屏蔽金属层，屏蔽金属层经切割线露出的衬底侧壁延伸至金属互联层；沿切割线进行二次切割，以获取多个分立的芯片级封装结构。本发明实施例提供的技术方案，实现了芯片级屏蔽金属层的制备，避免了芯片之间的信号干扰，形成芯片模组后无需再制备模组级屏蔽金属层，达到了简化芯片模组构成工艺的有益效果，此外，芯片模组边缘也无需再设置模组级屏蔽金属层的接地过孔，进而减小了芯片模组的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片级封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个集成电路，所述集成电路包括一个或多个电子元器件以及金属互联层；在所述衬底远离所述集成电路的一侧切割所述衬底以划分所述多个集成电路，沿所述切割的切割线，露出所述金属互联层靠近所述衬底一侧的部分表面；在所述衬底远离所述集成电路的一侧形成屏蔽金属层，所述屏蔽金属层经所述切割线露出的衬底侧壁延伸至所述金属互联层，与所述金属互联层实现电连接；沿所述切割线进行二次切割，以获取多个分立的所述芯片级封装结构。
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