[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和液晶显示面板有效
| 申请号： | 201710428424.1 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107204377B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;武岳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和液晶显示面板。该薄膜晶体管的制备方法包括在一基板上形成金属氧化物半导体层，在该金属氧化物半导体层的沟道区上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极；通过金属刻蚀溶液对金属氧化物半导体层的源区和漏区进行刻蚀，以使所述源区和漏区处的金属氧化物半导体层转变为导体；再对对清除掉金属刻蚀溶液。本发明利用金属刻蚀溶液将金属氧化物半导体上中的一种金属元素刻蚀掉，保留其他的金属元素，使得金属氧化物半导体形成金属氧化物导体，能够提高转换后金属氧化物导体的稳定性，提高薄膜晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n在一基板上形成屏蔽金属；/n在所述屏蔽金属和所述基板未形成屏蔽金属的区域上沉积阻挡绝缘层；/n在所述阻挡绝缘层上形成金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括源区、漏区和沟道区；/n在所述金属氧化物半导体层的沟道区上形成栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上形成栅极；/n通过金属刻蚀溶液对所述金属氧化物半导体层的源区和漏区进行刻蚀，以使所述源区和漏区处的金属氧化物半导体层转变为导体，其中所述金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物IGZO半导体层，所述金属刻蚀溶液为铜刻蚀溶液，以使得所述铜刻蚀溶液对所述IGZO半导体层的源区和漏区的镓元素进行刻蚀，保留铟元素和锌元素；/n对所述金属刻蚀溶液进行清除，并继续在所述金属氧化物半导体层、栅极和阻挡绝缘层上依次沉积层间绝缘层、源极、漏极、钝化层和像素电极。/n
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