[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。通过在位线和第一隔离层上形成具有开口的盖层，并利用开口去除部分第一隔离层，从而在位线的隔离屏障的作用下形成空腔，以自对准地界定出存储节点接触的形成区域，进而可在空腔中填充导电材料以构成存储节点接触。本发明的形成方法中，能够自对准地暴露出存储节点接触区，并自截断地在存储节点接触区上形成存储节点接触，减小存储节点接触区和存储节点接触之间的位移偏差以减小接触电阻。并且，在执行光刻工艺时，不会受到光刻工艺的精度限制，具有较大的光刻工艺窗口。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个呈阵列式排布且沿第一方向延伸的有源区，其中位于第二方向上的同一列中的所述有源区呈对齐排布，所述有源区上形成有位线接触区和多个延伸在所述第一方向上且位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区；形成多条位线在所述衬底上，对齐排布的两个相邻的所述存储节点接触区分别位于所述位线的两侧，以及在两个相邻的所述位线之间对应有多个所述存储节点接触区；依次形成一第一隔离层和一盖层在所述衬底上，所述第一隔离层填充在相邻的所述位线之间，并且所述第一隔离层不覆盖所述位线，所述盖层形成在所述第一隔离层和所述位线上，且所述盖层中形成有一开口，所述开口至少暴露出同一列中位于相邻的所述位线之间且相邻的所述存储节点接触区之间的所述第一隔离层；通过所述开口去除位于所述盖层下方的部分所述第一隔离层，以形成一空腔，在所述空腔中暴露有多个所述存储节点接触区；通过所述开口形成一导电材料层在所述空腔中，所述导电材料层中形成有一贯穿所述导电材料层且对应所述开口的凹槽，位于所述凹槽两侧的所述导电材料层与所述存储节点接触区电性连接，以构成存储节点接触；以及，形成一第二隔离层在所述凹槽中，所述第二隔离层隔离相邻的所述存储节点接触。