[发明专利]一种高温特性的半导体芯片加工工艺在审
申请号: | 201710430038.6 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107316812A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 曹孙根;叶方雨 | 申请(专利权)人: | 安徽钜芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人: | 娄尔玉 |
地址: | 247100 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种高温特性的半导体芯片加工工艺,涉及半导体芯片生产加工技术领域,半导体芯片加工流程依次包括以下步骤氧化→P面一次胶→单面光刻显定影→去氧化→背胶→硬烤→开沟→去胶→MOR→电泳前清洗→电泳→玻融烧结→去氧化/玻璃→镀镍→点测→打标→激光划片→裂片→晶粒清洗→包装出货。本发明GPP晶粒在封装线时无需经过酸洗,上白胶工序,直接焊接后进行注塑成形,大大的减少了酸洗,上白胶工序制程管控不足导致的电性能不稳定、高温特性差的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 特性 半导体 芯片 加工 工艺 | ||
【主权项】:
一种高温特性的半导体芯片加工工艺,其特征在于,GPP晶粒加工流程依次包括以下步骤:氧化→P面一次胶→单面光刻显定影→去氧化→背胶→硬烤→开沟→去胶→MOR→电泳前清洗→电泳→玻融烧结→去氧化/玻璃→镀镍→点测→打标→激光划片→裂片→晶粒清洗→包装出货。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造