[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710437128.8 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108987456B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;鹫谷哲;大野阳平;保立伦则;熊仓弘道 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田勇;陶海萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：碳化硅漂移层，其具有第一导电类型；掩埋碳化硅层，其具有第二导电类型，所述掩埋碳化硅层位于所述该碳化硅漂移层内；以及氧化物半导体层，其具有所述第一导电类型；其中，所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。
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