[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区、第二阱区、第三阱区和位于所述第三阱区和第一阱区之间的第四阱区，所述第三阱区与第二阱区的掺杂离子的导电类型相同，所述第四阱区与所述第三阱区的掺杂离子导电类型相反；位于第三阱区上的器件结构；位于第一阱区中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区分立，第一掺杂区和第二掺杂区中的掺杂离子与所述第一阱区掺杂离子导电类型相反，第一掺杂区与所述器件结构电连接；位于第二阱区中的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电连接。所述第一掺杂区、第一阱区和第二掺杂区形成三极管，能够改善半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区，所述第一阱区中具有第一阱离子；位于所述衬底中的第二阱区，所述第二阱区中具有第二阱离子；位于所述衬底中的第三阱区，所述第三阱区与所述第二阱区接触，所述第三阱区中具有第三阱离子，所述第三阱离子与第二阱离子的导电类型相同；位于所述第一阱区和第三阱区之间衬底中的第四阱区，所述第四阱区中具有第四阱离子，所述第四阱离子与所述第三阱离子的导电类型相反；位于所述第三阱区上的器件结构；位于所述第一阱区中的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区分立，所述第一掺杂区和第二掺杂区中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子与所述第一阱离子导电类型相反，所述第一掺杂区与所述器件结构电连接；位于所述第二阱区中的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电连接。