[发明专利]一种镀铝阴阳膜及其制备方法在审
申请号: | 201710438351.4 | 申请日: | 2017-06-12 |
公开(公告)号: | CN107245695A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 何庆君;徐相峰;王钦 | 申请(专利权)人: | 山东长宇镀铝材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/20 |
代理公司: | 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙)11560 | 代理人: | 王鑫 |
地址: | 271500 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于镀铝薄膜技术领域,具体涉及一种镀铝复合阴阳膜,并进一步公开其制备方法。本发明所述镀铝阴阳膜在现有制备方法的基础上,利用含有金属氧化物纳米粒子的挥发溶剂作为屏蔽层的边界填充,借助于挥发性溶剂的挥发,使得所述金属氧化物纳米粒子沉积于屏蔽层边界处,借助于金属氧化物纳米粒子的较高的比表面积,使得镀铝过程中所述阴膜和阳膜的分界线更为清晰;同时,本发明所述方法利用在全氟聚醚油中添加二氧化硅纳米粒子的方法,进一步增强了屏蔽层在镀铝过程中对金属沉积的排他性,进一步增强了所述阴膜部分的透明效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 镀铝 阴阳 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种镀铝阴阳膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)取基体膜在其表面阴膜位置处部分印刷全氟聚醚油形成屏蔽层;(2)待所述全氟聚醚屏蔽层干燥后,在其印刷边界处喷涂含有金属氧化物纳米粒子的挥发性溶剂;(3)待溶剂挥发干燥后,将所述基体膜置于真空镀铝设备进行常规镀铝处理,所述基体膜上未覆盖所述屏蔽层的部分镀有镀铝层,形成所需阳膜部分,所述基体膜上覆盖所述屏蔽层的部分无镀铝层,即为所述阴膜部分,即得。
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