[发明专利]支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法有效
| 申请号： | 201710439022.1 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109037136B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王燕;王华杰;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;C30B25/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，所述支撑台包括基座、顶针和涂层，所述基座设有多个开孔，所述顶针的数量与所述开孔的数量相同，所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆，所述涂层涂覆于所述开孔中。本发明提供的支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法，所述支撑台包括基座和顶针，由所述基座的开孔中的顶针来支撑晶圆，由于所述开孔中具有涂层，可减少顶针与开孔之间的间隙，改善由于工艺气体经由开孔形成的顶针痕迹，使得晶圆表面的顶针痕迹的高度减小，从而可降低顶针痕迹对产品质量的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 改善 外延 生长 表面 顶针 痕迹 方法 | ||
【主权项】：
1.一种支撑台，其特征在于，所述支撑台包括：基座，所述基座设有多个开孔；顶针，所述顶针的数量与所述开孔的数量相同，所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆；涂层，所述涂层涂覆于所述开孔中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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