[发明专利]一种太阳能电池

摘要

一种太阳能电池，透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱，使顶电极局部形成T型结构，凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包，对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面。本发明顶电极深入薄膜内，提高电极对电流的收集能力；电极上后续淀积的薄膜材料形成弧形鼓包，增加了薄膜电池的面积，增加了电池的受光面；金属底电极具有凹面镜结构的背反射面，增加了电池对反射光的利用，从而提高了电池对光的吸收和利用，进一步提高电池的转换效率。

主权项

1.一种太阳能电池，从上至下包括依次连接的透明顶电极、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜、底电极，其特征在于：所述透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱，使顶电极局部形成T型结构，所述凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包，对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面；所述凸棱的高宽比为1：3～1：2，凸棱之间互相平行，凸棱的间距范围为：1‑2um，高度范围为：100‑300nm；所述P型非晶硅薄膜中硼元素的掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³的；所述本征非晶硅薄膜中无杂质掺杂，所述N型非晶硅薄膜中磷元素的掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁹/cm³，所述P型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180‑220nm，本征非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：0.5‑1um，N型非晶硅薄膜的沉积厚度范围为：180‑220nm。