[发明专利]一种宽频带吸波多层薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201710442593.0 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107342148B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 张丽;刘曜铭;李梦;张敏;郑菡雨;陆海鹏;谢建良;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01F10/32 | 分类号: | H01F10/32;H01F41/14 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及磁性材料制备领域,特别涉及一种宽频带吸波多层薄膜及其制备方法。本发明仅使用一种磁性Fe基材料,在衬底上进行光刻,且光刻后的样品在磁控溅射腔体内只需交替溅射即可完成各层薄膜的制备,宽频带吸波多层薄膜制备工艺简单,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽频 带吸波 多层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种宽频带吸波多层薄膜,该多层薄膜为制备于衬底上的多层薄膜,由单元结构周期性排列而成,其特征在于:单元结构间的间距为1um~10um,单元结构由n个宽度为1μm~30μm的双层条形薄膜堆叠而成,n≥1,双层条形薄膜由下至上为磁性薄膜,隔离层薄膜;各双层条形薄膜的磁性层为同一Fe基材料,厚度均大于20nm,且厚度各不相同;各双层条形薄膜的隔离层材料为SiO2,Cu或Al2O3非磁性材料,厚度相同且大于6nm。
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