[发明专利]一种宽频带吸波多层薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710442593.0 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107342148B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 张丽;刘曜铭;李梦;张敏;郑菡雨;陆海鹏;谢建良;邓龙江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F10/32 分类号: H01F10/32;H01F41/14
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 李明光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及磁性材料制备领域,特别涉及一种宽频带吸波多层薄膜及其制备方法。本发明仅使用一种磁性Fe基材料,在衬底上进行光刻,且光刻后的样品在磁控溅射腔体内只需交替溅射即可完成各层薄膜的制备,宽频带吸波多层薄膜制备工艺简单,成本低。
搜索关键词: 一种 宽频 带吸波 多层 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种宽频带吸波多层薄膜,该多层薄膜为制备于衬底上的多层薄膜,由单元结构周期性排列而成,其特征在于:单元结构间的间距为1um~10um,单元结构由n个宽度为1μm~30μm的双层条形薄膜堆叠而成,n≥1,双层条形薄膜由下至上为磁性薄膜,隔离层薄膜;各双层条形薄膜的磁性层为同一Fe基材料,厚度均大于20nm,且厚度各不相同;各双层条形薄膜的隔离层材料为SiO2,Cu或Al2O3非磁性材料,厚度相同且大于6nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710442593.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top