[发明专利]具有NVM结构的集成电路及其制造方法

摘要

本发明涉及具有NVM结构的集成电路及其制造方法，提供的是集成电路、非易失性存储器(NVM)结构、以及具有NVM结构的集成电路的制造方法。例示性集成电路包括衬底及上覆于此衬底的双位NVM结构。双位NVM结构包括衬底上方平行横向延展的主要、第一相邻与第二相邻鳍形结构。主要鳍形结构包括源极、沟道与漏极区。各相邻鳍形结构包括编程/擦除栅极。双位NVM结构更包括定位于主要鳍形结构的沟道区与第一相邻鳍形结构之间的第一浮动栅极、以及定位于主要鳍形结构的沟道区与第二相邻鳍形结构之间的第二浮动栅极。此外，双位NVM结构包括相邻主要鳍形结构的控制栅极。

主权项

一种集成电路，其包含：衬底；以及双位非易失性存储器(NVM)结构，其上覆于该衬底并且包括：于该衬底上方平行延展的主要鳍形结构、第一相邻鳍形结构及第二相邻鳍形结构，其中，该主要鳍形结构包括源极区、沟道区及漏极区，其中，该第一相邻鳍形结构包括第一编程/擦除栅极，以及其中，该第二相邻鳍形结构包括第二编程/擦除栅极；定位于该主要鳍形结构的该沟道区与该第一相邻鳍形结构之间的第一浮动栅极；定位于该主要鳍形结构的该沟道区与该第二相邻鳍形结构之间的第二浮动栅极；以及相邻该主要鳍形结构的控制栅极。