[发明专利]一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 201710444149.2 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107163268B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 陈玲玲;王彪;孙爱华;许高杰 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L33/12;C08L25/06;C08K3/36;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 马莉华;崔佳佳
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构及其制备和应用。具体地,本发明公开了一种所述阵列结构的制备方法以及采用所述方法制得的阵列结构。所述方法具有工艺简便、成本低廉、实验条件温和等特点,所述阵列机构具有结构排布致密、碗状开口方向整齐一致、膜厚可控等特点。
搜索关键词: 一种 空心 纳米 二氧化硅 二维 阵列 结构 及其 制备 应用
【主权项】:
一种空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)提供第一溶液和有机溶剂,所述第一溶液包含二氧化硅包覆的聚合物颗粒和第一溶剂;2)将所述第一溶液在基片上形成单层二维有序的二氧化硅包覆的聚合物颗粒的自组装膜,任选地干燥处理位于基片上的所述自组装膜;3)热处理步骤2)所得位于基片上的自组装膜,接着将经热处理的位于基片上的自组装膜置于所述有机溶剂中浸泡处理,然后抽除所述有机溶剂,接着干燥处理所得位于基片上的自组装膜,得到所述空心碗状纳米二氧化硅二维阵列结构。
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