[发明专利]一种FinFET器件的制作方法有效
| 申请号： | 201710444304.0 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109087860B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件的制作方法，所述方法包括:提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括多个鳍片，所述第二区域包括多个鳍片；在所述半导体衬底上形成第一掺杂层，所述第一掺杂层覆盖所述第二区域；执行第一次退火处理；在所述半导体衬底上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层覆盖所述第一区域；执行第二次退火处理。根据本发明提供的FinFET器件的制作方法，通过固态源掺杂层来进行鳍片阈值电压的掺杂，从而避免了后续热处理工艺中掺杂离子的向外扩散；同时由于抑制了掺杂离子的横向扩散能提高器件的失配性能(mismatch performance)，从而实现性能良好的多阈值电压(multi‑Vt)FinFET器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括多个鳍片，所述第二区域包括多个鳍片；在所述半导体衬底上形成第一掺杂层，所述第一掺杂层覆盖所述第二区域；执行第一次退火处理；在所述半导体衬底上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层覆盖所述第一区域；执行第二次退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
