[发明专利]一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法

摘要

本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法。本发明采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上沉积一层Ni/C双层膜，然后通过热退火工艺在管式退火炉中进行后处理得到碳镍纳米棒薄膜材料。利用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备得到致密的Ni/C双层膜，热退火可以实现纳米棒材料的生长成型。合成的碳镍纳米棒薄膜的主要成分为NiCx，顶端伴随一定Ni含量的纳米颗粒。本发明制备成碳镍纳米棒薄膜具有良好的导电性能，具有可见光区高透过率的结构，可以在太阳能电池领域加以应用，成为一种新型透明电极材料。

主权项

一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法，所述碳镍纳米棒指的是过渡金属Ni的碳化物NiCx的棒状一维纳米结构，其特征在于制备的具体步骤为：（1）首先，在真空度为2´10‑3 Pa的真空腔中，在清洗过的光滑石英衬底表面沉积一层10‑30纳米厚度的金属Ni作为催化层和前驱物；沉积过程采用脉冲激光沉积方法；（2）其次，利用同样的方法在沉积有Ni的石英衬底上继续沉积石墨粉末，沉积时间4‑6分钟；（3）再次，将沉积有Ni和石墨粉末的石英衬底移入管式退火炉中进行高温退火，退火时间为5‑60分钟，退火温度为1100‑1250摄氏度；（4）最后，将管式退火炉自然冷却，待温度降为室温时取出样品，得到NiCx纳米棒薄膜。